2021-09-13
10:28 |
|
5 p, 521.8 KB |
Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective
/
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 -  10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112
|
|
2021-09-13
10:28 |
|
5 p, 735.0 KB |
Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions
/
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037
|
|
2021-07-31
06:10 |
|
11 p, 4.0 MB |
Flexible setup for the measurement of CMOS time-dependent variability with array-based integrated circuits
/
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper presents an innovative and automated measurement setup for the characterization of variability effects in CMOS transistors using array-based integrated circuits (ICs), through which a better understanding of CMOS reliability could be attained. [...]
2020 - 10.1109/TIM.2019.2906415
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 69, Issue 3 (March 2020) , p. 853-864
|
|
2016-07-21
22:36 |
|
17 p, 1.4 MB |
New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
/
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145
|
|
2016-07-21
22:35 |
|
4 p, 3.8 MB |
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
/
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cordes, A. (SEMATECH, United States) ;
Bersuker, G. (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643
|
|
2016-07-21
22:35 |
|
5 p, 2.7 MB |
Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories
/
Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705
|
|
2016-07-21
22:35 |
|
5 p, 939.8 KB |
Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach
/
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202
|
|
2016-07-21
22:35 |
|
4 p, 1.6 MB |
Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM
/
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
González, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338
|
|
2015-09-28
22:39 |
|
11 p, 963.5 KB |
Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. [...]
2009 - 10.1016/j.microrel.2009.06.029
Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028
|
|
2015-09-28
22:39 |
|
3 p, 1.0 MB |
Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545
|
|
|
|
visitante ::
identificación
Estadísticas de uso
Los más consultados
