Development of microelectromechanical systems for RF signal processing
Giner de Haro, Joan
Uranga del Monte, Aránzazu, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica

Publicación:	[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012
Descripción:	1 recurs electrònic (221 p.)
Resumen:	El objectiu d'aquesta tesis ha sigut l'estudi de ressonadors CMOS-MEMS monolíticament integrats per a la seva aplicació en transceptors de radio freqüència. En concret s'ha treballat sobre filtre y ressonadors de RF així com la seva caracterització. En el camp del filtres s'han investigat dos tipus de conceptes: el filtres series i els filtres paral·lels. Els filtre sèrie desenvolupats en aquesta tesi consten de dos tipus d'acoblament: acoblament mecànic, dintre dels quals s'han estudiat dos tipus d'acobladors (en forma de U i en forma de V) i l'acoblament electrostàtic. En els filtres mecànics el ample de banda es defineix amb el disseny de l'acoblador i el punt d'acoblament amb el ressonador mentre que en els filtre electrostàtics, en teoria, el ample de banda el fixa la diferencia de tensió entre els ressonadors. Els filtres en paral·lel, permeten aconseguir, gracies a la seva integració amb la circuiteria, una millor del rebuig fora de banda comparats amb els filtres anteriors. D'altra banda s'ha combinat el filtrat paral·lel i els filtres series per aconseguir un filtre dual. En el camp dels ressonador en el rang de VHF i UHF s'han dissenya fabricat i mesurat dos tipus de ressonador basat en la ressonància longitudinal de la estructura (LBAR): el LBAR millorat, al que se li han afegit dues masses en els seus extrem lliures, i que treballa a una freqüència de 250MHz i el LBAR hiperbòlic, capaç d'assolir freqüències al voltant dels 380MHz S'ha estudiat la caracterització dels elements ressonant d'aquesta tesis, transduits electrostàticament. S'ha proposat una nova topologia basada en la fabricació de quatre elèctrodes que permet eliminar per complert la capacitat paràsita en aquest tipus de transducció.
Resumen:	The objective of this thesis is the study of CMOS MEMS monolithically integrated resonators, for RF transceivers applications. In particular, it has focuses on design and characterization of RF resonators and filters. Two types of filter concepts have been investigated: series filtering and parallel filtering. The series filters are composed of two different coupling methods: mechanical couplings that are divided into two types of couplers (the U-coupler and the V-coupler), and the electrostatic coupling. In mechanical coupled resonator filters, the bandwidth is fixed through the coupler design and the selection of its coupling point with the resonator whereas in the electrostatic filters the voltage applied between the constituent resonators fixes the bandwidth. The parallel filter allows increasing the out of band rejection due to the integration with circuitry. Finally, the parallel filtering and series filtering have been combined to achieve a dual filter. In the field of RF resonators, two types of resonator based on longitudinal acoustic resonance have been designed, fabricated, and measured: The enhanced LBAR, that includes to masses at the free ends in order to increase the coupling area, works at 250MHz and the hyperbolic LBAR that is capable to reach 380MHz resonant frequency. The electrostatic actuated mad capacitive read MEM devices characterization has been studied. In addition a new four-electrode based topology has been propose in order to cancel the feedthrough current that exists in this type of transduction.
Nota:	Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica, 2012
Derechos:	ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Lengua:	Anglès
Documento:	Tesi doctoral
Materia:	Metall òxid semiconductors complementaris ; Ressonadors ; Sistemes microelectromecànics

Adreça alternativa: https://hdl.handle.net/10803/96241
Adreça alternativa: https://www.educacion.gob.es/teseo/mostrarRef.do?ref=989151

221 p, 7.1 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Tesis doctorales