Domain matching epitaxy of ferrimagnetic CoFe2O4 thin films on Sc2O3/Si(111)
Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Bachelet, Romain (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Coux, P. de (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales)
Warot-Fonrose, Bénédicte (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales)
Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Tarnawska, L. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance)
Zaumseil, P. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance)
Schroeder, T. (Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik. Innovations for high performance)
Fontcuberta, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
American Physical Society

Fecha:	2011
Resumen:	Ferrimagnetic spinel CoFe2O4 (CFO) films are integrated with Si(111) using Sc2O3 buffer layers. The huge lattice mismatch (17%) between CFO and Sc2O3 is accommodated by domain matching, and CFO grows epitaxially with (111) out-of-plane orientation and coexistence of A- and B-type in-plane crystal variants. CFO films have low roughness of 4 Å and saturation magnetization of about 300 emu/cm3. These properties make CFO films on Sc2O3-buffered Si(111) comparable to those grown on oxide single crystals and thus extend the possibilities of using spinel oxides in electronic devices.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación MAT2011-29269-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación 2008-06761-C03 Ministerio de Ciencia e Innovación CSD2007-00041 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2009/SGR-00376
Nota:	This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió publicada
Materia:	Pel·lícules fines
Publicado en:	Applied physics letters, Vol. 99, Issue 21 (November 2011) , p. 211910/1-211910/3, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.3663216

3 p, 1.1 MB

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