Quantum size effects in hafnium-oxide resistive switching
-
Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
;
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ;
Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ;
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Perniola, Luca (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ;
Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina)) ;
American Physical Society