Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/116266
Nanometer-scale electrical characterization of stressed ultrathin SiO2 films using conducting atomic force microscopy
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Olbrich, A. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya))
Ebersberger, B. (Infineon Technologies AG (Munic, Alemanya))
American Physical Society

Data: 2001
Resum: A conductive atomic force microscope has been used to electrically stress and to investigate the effects of degradation in the conduction properties of ultrathin (<6 nm) SiO2 films on a nanometer scale (areas of ≈100 nm2). Before oxide breakdown, switching between two states of well-defined conductivity and sudden changes of conductivity were observed, which are attributed to the capture/release of single charges in the defects generated during stress.
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; publishedVersion
Matèria: Atomic force microscopes ; Atomic force microscopy ; Electrical properties ; Thin films
Publicat a: Applied Physics Letters, Vol. 78, Issue 26 (May 2001) , p. 4181-4183, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.1382624


4 p, 388.4 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2014-02-26, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir