Hydrogen desorption in SiGe films : a diffusion limited process
Vizoso San Segundo, Jesús (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
American Physical Society

Data:	1997
Resum:	A model to explain the hydrogen desorption kinetics in SiGe alloys is presented. This is an extension of a previous desorption model of hydrogen from Si, that considers the presence of three dimer types in the surface in which hydrogen atoms tend to pair before the desorptionreaction. Surfacediffusion is included in the model. The comparison with experimental results shows that desorption is a diffusion limited process.
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Desorption ; Diffusion ; Atom reactions ; Atom surface interactions ; Chemical interdiffusion ; Hydrogen reactions ; Reaction kinetics modeling ; Surface reactions
Publicat a:	Applied physics letters, Vol. 70, Issue 24 (June 1997) , p. 3287-3289, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.118429

4 p, 307.5 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats