Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/117260
Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale
Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica)
Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica)
Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica)
Aguiló Llobet, Jordi (Centro Nacional de Microelectrónica)
Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França))
Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França))
Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França))
Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França))
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2012
Resum: The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. The conductive atomic force microscopy investigation of the HEMT surface has revealed some correlation between the topography and the leakage current, which is analyzed in detail. The effect of introducing a thin dielectric in the gate is also discussed in the micro and the nanoscale.
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès.
Document: article ; recerca ; publishedVersion
Matèria: III-V semiconductors ; MODFETs ; Atomic force microscopy ; Leakage currents ; Epitaxy
Publicat a: Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4, ISSN 1077-3118

DOI: 10.1063/1.4748115


5 p, 1.9 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2014-04-24, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir