Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/133466
Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages
Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Diaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Gonzalez, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2015
Resum: The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. The results obtained show that Set and Reset voltages increase with voltage ramp speed. The use of time domain measurements has allowed concluding that a critical energy is needed to trigger the Set and Reset processes, independently of the biasing conditions.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014-SGR-384
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Resistive switching random access memory (RRAM) ; Metal–insulator–semiconductor (MIS) ; Fast ramped voltages ; Time domain measurements
Publicat a: Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.057


Disponible a partir de: 2017-11-30
Post-print
36.5 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-07-16, darrera modificació el 2016-06-09



   Favorit i Compartir