Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/136864
Resistive switching like-behavior in MOSFETs with ultra-thin HfSiON dielectric gate stack : pMOS and nMOS comparison and reliability implications
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2013
Resum: In this work, the Resistive Switching (RS) phenomenon in n and pMOSFETs with ultrathin Hf based high-k dielectric is studied. Two different conductive levels, a high (HRS) and a low (LRS) resistance states can be distinguished in the dielectric. The influence of the voltage polarities applied to reach the HRS and the LRS on the RS phenomenology is analyzed. The drain current–drain voltage and drain current–gate voltage transistor characteristics during the HRS have also been analyzed in those cases where the RS has been observed. The results can be useful to understand the effect of the RS on the MOSFETs performance from a reliability point of view.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-10021-E
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009-SGR-783
Drets: Tots els drets reservats
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Resistive Switching ; RS ; Dielectrics ; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ; MOSFET
Publicat a: Microelectronics reliability, Vol. 53, No. 9–11 (Sep.-Nov. 2013) , p. 1247-1251, ISSN 0026-2714

DOI: 10.1016/j.microrel.2013.07.046


Post-print
6 p, 228.6 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-07-30, darrera modificació el 2016-11-08



   Favorit i Compartir