Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/136896
Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bersuker, G. (Sematech)
Cordes, A. (Sematech)

Data: 2015
Resum: The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. In this study, the CAFM technique is employed for identification and analysis of nanoscale defects, in particular, Threading Dislocations (TD), Stacking faults (SF) and Anti-phase Boundaries (APB), in III-V materials grown over silicon wafers.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció EC/ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014-SGR-384
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: High mobility substrates ; III-V semiconductors ; Threading dislocations ; CAFM
Publicat a: Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.058


Disponible a partir de: 2017-11-30
Post-print
36.5 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-08-03, darrera modificació el 2016-11-16



   Favorit i Compartir