Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study

Web of Science: 6 cites, Scopus: 6 cites, Google Scholar: cites

Monitoring defects in III-V materials : a nanoscale CAFM study
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Wu, Q. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc

(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat

(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bersuker, G. (Sematech)
Cordes, A. (Sematech)

Data:	2015
Resum:	The implementation of high mobility devices requires growing III-V materials on silicon substrates. However, due to the lattice mismatch between these materials, III-V semiconductors tend to develop structural defects affecting device electrical characteristics. In this study, the CAFM technique is employed for identification and analysis of nanoscale defects, in particular, Threading Dislocations (TD), Stacking faults (SF) and Anti-phase Boundaries (APB), in III-V materials grown over silicon wafers.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R European Commission ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	High mobility substrates ; III-V semiconductors ; Threading dislocations ; CAFM
Publicat a:	Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179, ISSN 0167-9317

Post-print
4 p, 448.3 KB

Registre creat el 2015-08-03, darrera modificació el 2021-09-29