Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/138448
Dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks : a resistive switching phenomenon
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2012
Resum: In this work, the temperature dependence of the resistive switching-related currents (gate and drain) in MOSFETs with ultra-thin Hf based high-k dielectric has been analyzed, for the two dielectric conductivity states. The two different conductive states of the resistive switching have been associated to the breakdown (BD) and BD recovery of the dielectric. The results about the temperature dependence of the post-BD gate current are in agreement with those obtained from the study of the injected charge to recovery, a useful parameter to analyze the switch from the high to the low conductivity state. The drain current in the MOSFETs, for the two conductivity states, for different locations of the BD path along the channel (source and drain) and several temperatures has also been studied. The results are a contribution for a better understanding of the resistive switching phenomenon in ultra-thin gate dielectrics, which could be useful for the developing of models to describe BD reversibility.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-10021-E
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009/SGR-783
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; submittedVersion
Matèria: Dielectric breakdown (BD) ; BD reversibility ; High-k ; Reliability ; CMOS ; Resistive switching ; MOSFET
Publicat a: Journal of the Electrochemical Society, Vol. 159 Issue 5 (2012) , p. H529-H535, ISSN 0013-4651

DOI: 10.1149/2.012206jes


Pre-print
41 p, 418.7 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Combinatorics, Coding and Security Group (CCSG)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir