Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/138449
Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2011
Resum: The gate dielectric breakdown (BD) reversibility in MOSFETs with ultra-thin hafnium based high-k dielectric is studied. The phenomenology is analyzed in detail and the similarities with the resistive switching phenomenon emphasized. The results suggest that the conductive path in the dielectric after BD can be `opened' and `closed' many times and that the BD recovery partially restores not only the current through the gate, but also the MOSFET channel related electrical characteristics.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-16126
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2010-10021-E
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009/SGR-783
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès.
Document: article ; submittedVersion
Matèria: MOSFET ; Hafnium ; High-k dielectric thin films ; Semiconductor device breakdown ; Switching circuits
Publicat a: Solid-state electronics, Vol. 65-66 (Nov.-Dec. 2011) , p. 157-162, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2011.06.033


Pre-print
12 p, 990.7 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir