Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/138450
Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2011
Resum: The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2007-61294/MIC
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009-SGR-783
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Dielectric breakdown (BD) ; BD reversibility ; High-k ; Reliability ; Resistive switching ; CMOS
Publicat a: IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130, ISSN 1530-4388

DOI: 10.1109/TDMR.2010.2098032


Post-print
6 p, 2.0 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir