Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/138451
Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2010
Resum: The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. The simulation of several digital circuits shows that their functionality can be restored after the BD recovery.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2007-61294
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2009-SGR-783
Drets: Tots els drets reservats.
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Dielectric breakdown ; Dielectric breakdown reversibility ; High-k ; Resistive switching ; CMOS circuits
Publicat a: IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545, ISSN 0741-3106

DOI: 10.1109/LED.2010.2045732


Post-print
3 p, 1.0 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir