Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/138452
Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2009
Resum: The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. The similarities with the Resistive Switching phenomenon observed in MIM structures for memory applications are discussed.
Nota: Número d'acord de subvenció MICINN/TEC2007-61294
Nota: Número d'acord de subvenció Generalitat de Catalunya/AGAUR/2005-SGR-1224
Drets: Tots els drets reservats
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; submittedVersion
Matèria: Dielectric breakdown ; Resistive switching ; High-k reliability ; CMOS process
Publicat a: Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028, ISSN 0026-2714

DOI: 10.1016/j.microrel.2009.06.029


Pre-print
11 p, 963.5 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2015-09-28, darrera modificació el 2016-06-20



   Favorit i Compartir