Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha:	2009
Resumen:	The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. The similarities with the Resistive Switching phenomenon observed in MIM structures for memory applications are discussed.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación TEC2007-61294 Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2005/SGR-1224
Derechos:	Tots els drets reservats.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió sotmesa a revisió
Materia:	Dielectric breakdown ; Resistive switching ; High-k reliability ; CMOS process
Publicado en:	Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028, ISSN 0026-2714

DOI: 10.1016/j.microrel.2009.06.029

Pre-print 11 p, 963.5 KB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Documentos de los grupos de investigación de la UAB > Centros y grupos de investigación (producción científica) > Ingeniería > Grupo de Fiabilidad de Dispositivos y Circuitos Electrónicos (REDEC)
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados