Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/154787
Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part II : circuit performance benchmarking
Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2016
Resum: This paper presents a circuit performance benchmarking using the large-signal model of graphene field effect transistor reported in Part I of this two-part paper. To test the model, it has been implemented in a circuit simulator. Specifically we have simulated a high-frequency performance amplifier, together with other circuits that take advantage of the ambipolarity of graphene, such as a frequency doubler, a radio-frequency subharmonic mixer and a multiplier phase detector. A variety of simulations comprising DC, transient dynamics, Bode diagram, S-parameters, and power spectrum have been compared with experimental data to assess the validity of the model.
Nota: Número d'acord de subvenció EC/H2020/696656
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2012-31330
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2015-67462-C2-1-R
Drets: Tots els drets reservats
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Ambipolar electronics ; Compact model ; Field-effect transistor ; Graphene ; Intrinsic capacitance ; Circuit performance benchmarking ; Verilog-A.
Publicat a: IEEE Transactions on electron devices, Vol. 63, Issue 7 (July 2016) , p. 2942 - 2947, ISSN 0018-9383

DOI: 10.1109/TED.2016.2563464


Post-print
7 p, 921.0 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2016-05-26, darrera modificació el 2016-09-05



   Favorit i Compartir