Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach
Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Simoen, E. (IMEC. Belgium.)

Data:	2015
Resum:	Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. The results show that although strained devices have a larger mobility, they are more sensitive to CHC stress. This effect has been observed to be larger in short channel devices. The higher susceptibility of strained MOSFETs to the stress has been related to a larger density of defects close to the diffusions, as suggested by CAFM data.
Ajuts:	Ministerio de Economía y Competitividad TEC2013-45638-C3-1-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2014/SGR-384
Drets:	Tots els drets reservats.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	MOSFETs ; Electric currents ; Strain measurement ; Carrier mobility ; Dielectrics
Publicat a:	Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202, ISSN 2166-2754

DOI: 10.1116/1.4913950

5 p, 939.8 KB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats