Per citar aquest document: http://ddd.uab.cat/record/163089
New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM
Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC))
Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC))
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data: 2016
Resum: Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. The standard equipment used to analyse RTN has a typical time resolution of ∼2 ms which prevents evaluating fast phenomena. In this work, a new RTN measurement procedure, which increases the measurement time resolution to 2 μs, is proposed. The experimental set-up, together with the recently proposed Weighted Time Lag (W-LT) method for the analysis of RTN signals, allows obtaining a more detailed and precise information about the RTN phenomenon.
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2011-27292-C02-02
Nota: Número d'acord de subvenció MINECO/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció ERDF/TEC2013-45638-C3-1-R
Nota: Número d'acord de subvenció AGAUR/2014/SGR-384
Drets: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades. Creative Commons
Llengua: Anglès
Document: article ; recerca ; acceptedVersion
Matèria: Resistive switching ; Random telegraph noise ; Resolution ; Time constants ; RRAM
Publicat a: Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145, ISSN 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2015.08.010


Disponible a partir de: 2018-01-01
Post-print

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Documents dels grups de recerca de la UAB > Centres i grups de recerca (producció científica) > Enginyeries > Grup de Fiabilitat de Dispositius i Circuits Electrònics (REDEC)
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats

 Registre creat el 2016-07-21, darrera modificació el 2016-10-26



   Favorit i Compartir