Optimisation de l'implantation ionique et du recuit thermique pour SiC
Blanqué, Servane
Camassell, J., dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)
Godignon, Philippe, dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)

Imprint: Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2005
Note: Consultable des del TDX
Note: Títol obtingut de la portada digitalitzada
Note: Tesi doctoral - Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II, 2004. Tesi doctoral - Universitat Autònoma de Barcelona, Facultat de Ciències, Departament de Física, 2004
Note: Bibliografia
Rights: ADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
Language: Francès
Document: Tesi doctoral
Subject: Ions ; Implantació ; Carbur de silici
ISBN: 8468922862

Adreça alternativa:: https://hdl.handle.net/10803/3362


116 p, 1.8 MB

115 p, 2.3 MB

1 p, 11.9 KB

The record appears in these collections:
Research literature > Doctoral theses

 Record created 2009-05-07, last modified 2022-05-08



   Favorit i Compartir