Diseño y desarrollo de un equipo de caracterización de ISFET para la medida de analitos iónicos
Miró Vicente, Antonio
Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Fecha:	2010
Descripción:	178 p.
Resumen:	En este proyecto se desarrolla una unidad de medida para investigar la cuantificación de la concentración de analitos iónicos en análisis clínico mediante sensores ISFET. Para su desarrollo se precisa de un elemento que simule el comportamiento de un ISFET por lo que también se desarrolla un simulador de ISFET. Para realizar la unidad de medida se diseñan unos circuitos SMU que permiten polarizar en tensión y medir la corriente de cada terminal de un ISFET y del electrodo de referencia que actúa de puerta. El simulador se realiza con un MOSFET de la misma geometría que el ISFET y dos generadores de tensión programables. Desarrollados y validados los circuitos correspondientes, obtenemos unos excelentes resultados en el simulador que se revela de gran utilidad para la puesta en marcha de la unidad de medida, la cual ofrece unos resultados bastante buenos, si bien se aprecian ciertas corrientes de fuga que no permiten alcanzar toda la exactitud que se pretendía. Ello es debido a los circuitos impresos que deberán ser mejorados hasta conseguir la exactitud deseada. Sin embargo pueden darse por válidos los circuitos de medida diseñados.
Resumen:	En aquest projecte es desenvolupa una unitat de mesura per investigar la quantificació de la concentració d'analits iònics en anàlisi clínica mitjançant sensors ISFET. Per al seu desenvolupament es necessita un element que simuli el comportament d'un ISFET de manera que també es desenvolupa un simulador d'ISFET. Per a realitzar la unitat de mesura es dissenyen uns circuits SMU que permeten polaritzar en tensió i mesurar el corrent de cada terminal d'un ISFET i de l'elèctrode de referència que actua de porta. El simulador es realitza amb un MOSFET de la mateixa geometria que l'ISFET i dos generadors de tensió programables. Desenvolupats i validats els circuits corresponents, obtenim uns excel·lents resultats en el simulador que es revela de gran utilitat per a la posada en marxa de la unitat de mesura, la qual ofereix uns resultats força bons, tot i que s'aprecien certes corrents de fuita que no permeten aconseguir tota l'exactitud que es pretenia. Això és degut als circuits impresos que hauran de ser millorats fins a aconseguir l'exactitud desitjada. No obstant poden donar-se per vàlids els circuits de mesura dissenyats.
Resumen:	This project develops a measurement unit intended for the research of the quantification of the concentration of ionic analytes in clinical analysis using ISFET sensors. Its development requires a component simulating the behaviour of an ISFET and therefore the development of a ISFET simulator has been carried out. In order to construct the measurement unit, SMU circuits are designed to allow polarizing voltage and to measure the current of each terminal of ISFET and the reference electrode that acts as a gate. The simulator is performed with a MOSFET with the same geometry as the ISFET and two programmable voltage sources. Once the corresponding circuits have been developed and validated, excellent results are obtained in the simulator demonstrating its usefulness for setting up the measurement unit, which provides reasonably good results, although there are some leakage currents that do not allow the full achievement of the intended accuracy. This is due to the implementation of the printed circuit which should be improved to achieve the desired accuracy of measurement. The designed circuits can be considered valid.
Resumen:	Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús
Lengua:	Castellà
Colección:	Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica
Documento:	Treball final de grau
Materia:	Circuits electrònics ; Disseny ; Electròlits ; Mesurament

Esquemes electrònics 7 p, 241.7 KB

Projecte 178 p, 1.7 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Trabajos de investigación y proyectos de final de carrera > Ingeniería. TFM