Procedimiento de integración monolítica de materiales de alta calidad mecánica con circuitos integrados para aplicaciones MEMS/NEMS
Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Esteve, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Figueras Costa, Eduardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Verd Martorell, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Villarroya Gaudó, María
Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Campabadal, Francesca
Universitat Autònoma de Barcelona
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)

Publicació:	Madrid : Oficina Española de Patentes y Marcas, 2008
Descripció:	8 pag.
Resum:	Comprende utilizar para la formación de dicha circuitería electrónica y de dichos sistemas micra/nano-electromecánicos, una estructura de al menos tres capas: - una inferior o de base destinada a ser utilizada para formar dichos circuitos electrónicos; - una capa intermedia aislante; y - una capa superior destinada a formar, al menos en parte, dichos MEMS/NEMS, Dicha estructura de al menos tres capas es un substrato, tal como un substrato SOI, cuyas capas están unidas entre sí previamente a la formación en las mismas tanto de los citados circuitos electrónicos como de los referidos MEMS/NEMS, definiéndose en primer lugar unas zonas de dichas capas superior en intermedia donde se desean formar dichos MEMS/NEMS, y eliminándose el resto de dichas capas para poder acceder a la capa inferior y poder formar la circuitería electrónica mediante técnicas convencionales.
Drets:	Tots els drets reservats
Llengua:	Castellà
Document:	patent
Matèria:	Circuits integrats ; Aplicacions MEMS/NEMS

8 p, 696.4 KB