|
|
||||||||||||||
|
Buscar | Ayuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español | |||||||||
| Página principal > Documentos de investigación > Trabajos de investigación y proyectos de final de carrera > Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS |
| Fecha: | 2011 |
| Descripción: | 89 p. |
| Derechos: | L'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: ![]() |
| Forma: | bachelorThesis |
| Materia: | Metall òxid semiconductors complementaris -- Fiabilitat ; Ruptura elèctrica |
89 p, 1.1 MB |