98287driveroai:ddd.uab.cat:98287hdl_2072_4393oai:www.recercat.cat:2072/198727spa62Vileta Incausa, José CarlosDesarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS201189 p.info:eu-repo/semantics/openAccessL'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons:http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/Metall òxid semiconductors complementaris -- FiabilitatRuptura elèctricainfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisNafría i Maqueda, MontserratUniversitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria ElectrònicaUniversitat Autònoma de Barcelona.Escola d'Enginyeria891119994http://ddd.uab.cat/pub/trerecpro/2011/hdl_2072_198727/PFC_JoseCarlosViletaIncausa.pdfAdreça alternativahttp://hdl.handle.net/2072/198727TRERECPROUABfile0MD5c87234716d7833f567cc6b7b228546ea1119994PDF1.4filepathpub/trerecpro/2011/hdl_2072_198727/PFC_JoseCarlosViletaIncausa.pdfdisk