Articles publicats

Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.01 segons. 
1.
4 p, 383.6 KB Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers / Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ossó Torné, J. Oriol (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The authors show that by deposition of 0. 1 ML of carbon prior to the self-assembledgrowth of Gequantum dots on a strained Si1−xGexbuffer layer a striking decrease in dot density by two orders of magnitude from about 1011to109cm−2 occurs when the Ge content of the buffer layer increases from 0% to 64%. [...]
2006 - 10.1063/1.2349317
Applied physics letters, Vol. 89, Issue 10 (September 2006) , p. 101921/1-101921/3  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.