Articles publicats

Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.03 segons. 
1.
4 p, 315.4 KB Electron transport through electrically induced nanoconstrictions in HfSiON gate stacks / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Falbo, P. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crupi, F. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; American Physical Society
A microscopic picture for the progressive leakage current growth in electrically stressed HfxSi1−xON/SiON gate stacks in metal-oxide-semiconductor transistors based on the physics of mesoscopic conductors is proposed. [...]
2008 - 10.1063/1.2949748
Applied physics letters, Vol. 92, Issue 25 (June 2008) , p. 253505/1-253505/3  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.