Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Resultats de la cerca: 21662746v31

Articles publicats

  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Articles publicats 1 registres trobats  La cerca s'ha fet en 0.01 segons. 
1.
5 p, 1.0 MB Temperature dependence of the resistive switching-related currents in ultra-thin high-k based MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching phenomenon in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFETs) with an ultra-thin Hf-based high-k dielectric is studied through analysis of the gate and drain currents for the two dielectric conductivity states. [...]
2013 - 10.1116/1.4789518
Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics, Vol. 31 (2013) , p. 22203-22203-5  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem