Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Martín Martínez, Javier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 94 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 41 registres trobats
Llibres i col·leccions, 3 registres trobats
Documents de recerca, 9 registres trobats
Materials acadèmics, 41 registres trobats
Articles 41 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429  
Registre complet -
2.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
Registre complet - Creative Commons
3.
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410  
Registre complet -
4.
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625  
Registre complet - Creative Commons
5.
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324  
Registre complet - Creative Commons
6.
Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108759
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759  
Registre complet - Creative Commons
7.
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735  
Registre complet - Creative Commons
8.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 521.8 KB Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
Registre complet - Creative Commons
10.
12 p, 988.7 KB Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
Registre complet - Creative Commons

Articles : 41 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Llibres i col·leccions 3 registres trobats  
1.
Challenges and solutions to the defect-centric modeling and circuit simulation of time-dependent variability / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Time-Dependent Variability (TDV) phenomena represent a serious concern for device and circuit reliability. To address the TDV impact at circuit level, Reliability-Aware Design (RAD) tools can be used by circuit designers to achieve more reliable circuits. [...]
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2023 - 10.1109/irps48203.2023.10118334
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Proceedings  
Registre complet -
2.
Circuit reliability prediction : challenges and solutions for the device time-dependent variability characterization roadblock / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin-Lloret, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Toro-Frias, Antonio (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The characterization of the MOSFET Time-Dependent Variability (TDV) can be a showstopper for reliability-aware circuit design in advanced CMOS nodes. In this work, a complete MOSFET characterization flow is presented, in the context of a physics-based TDV compact model, that addresses the main TDV characterization challenges for accurate circuit reliability prediction at design time. [...]
2021 - 10.1109/laedc51812.2021.9437920
2021 IEEE Latin America Electron Devices Conference, (2021), p. 1-4  
Registre complet -
3.
Simulating the impact of random telegraph noise on integrated circuits / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Camacho-Ruiz, Eros (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, R. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
This paper addresses the statistical simulation of integrated circuits affected by Random Telegraph Noise (RTN). For that, the statistical distributions of the parameters of a defect-centric model for RTN are experimentally determined from a purposely designed integrated circuit with CMOS transistor arrays. [...]
VDE Verlag GmbH, 2021
SMACD/PRIME 2021, (2021), p. 1-4  
Registre complet -

Documents de recerca 9 registres trobats  
1.
55 p, 1.4 MB Red neuronal clasificadora de trazas RTN para la generación de números aleatorios / Marín Plaza, Manel ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En este trabajo se describe la metodología necesaria para el diseño y desarrollo de una Red Neuronal (a partir de ahora RN) capaz de clasificar trazas de Random Telegraph Noise (a partir de ahora RTN) según la incertidumbre en la repetibilidad de símbolos binarios consecutivos. [...]
2021
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
Registre complet - Creative Commons
2.
193 p, 5.4 MB A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Diaz-Fortuny, Javier ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
3.
121 p, 5.1 MB Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
4.
175 p, 10.4 MB Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
5.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
6.
131 p, 7.4 MB Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
7.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
8.
89 p, 1.1 MB Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS / Vileta Incausa, José Carlos ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011  
Registre complet - Creative Commons
9.
92 p, 2.3 MB Control de instrumentos mediante el bus GPIB programado con MATLAB / Amores Rubio, Eduardo ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El proyecto que se expone a continuación está dedicado al control de instrumentos mediante el bus de instrumentación GPIB programado con el software Matlab. Está dividido en dos partes. La primera, será llevada a cabo en el laboratorio de docencia y el objetivo será controlar el osciloscopio y el generador de funciones. [...]
El projecte que s'exposa a continuació està dedicat al control d'instruments mitjançant el bus d'instrumentació GPIB programat amb el software Matlab. Està dividit en tres parts. La primera, es durà a terme en el laboratori de docència i l'objectiu serà controlar l'oscil·loscopi i el generador de funcions. [...]
The project that follows is dedicated to the control of instruments with the GPIB instrumentation bus programmed with Matlab software. It's divided into two parts. The first will be made in the teaching laboratory and the objective is to control the oscilloscope and function generator. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics 41 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
6 p, 107.1 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
3 p, 97.3 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
4 p, 101.0 KB Sistemes d'Instrumentació Intel·ligents [102724] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu principal de l'assignatura és entendre com l'ús de la intel·ligència artificial pot millorar els sistemes d'instrumentació que l'alumne ja coneix de les assignatures d'instrumentació I i II.
The main objective of the subject is to understand how the use of artificial intelligence can improve the instrumentation systems that the student already knows about the instrumentation subjects I and II.
El objetivo principal de la asignatura es entender cómo el uso de la inteligencia artificial puede mejorar los sistemas de instrumentación que el alumno ya conoce de las asignaturas de instrumentación I y II.
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
5 p, 109.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodriguez Martinez, Rosana ; Martin Martinez, Javier ; López Vicario, José ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introduce the student to the analysis and characterization of signals and systems, with emphasis on linear systems. Learn the Laplace transform and its properties. Learn how to apply the Laplace transform to circuit analysis. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
5.
5 p, 106.1 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
3 p, 97.0 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
4 p, 100.7 KB Sistemes d'Instrumentació Intel·ligents [102724] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu principal de l'assignatura és entendre com l'ús de la intel·ligència artificial pot millorar els sistemes d'instrumentació que l'alumne ja coneix de les assignatures d'instrumentació I i II.
The main objective of the subject is to understand how the use of artificial intelligence can improve the instrumentation systems that the student already knows about the instrumentation subjects I and II.
El objetivo principal de la asignatura es entender cómo el uso de la inteligencia artificial puede mejorar los sistemas de instrumentación que el alumno ya conoce de las asignaturas de instrumentación I y II.
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 109.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Martin Martinez, Javier ; López Vicario, José ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introduce the student to the analysis and characterization of signals and systems, with emphasis on linear systems. Learn the Laplace transform and its properties. Learn how to apply the Laplace transform to circuit analysis. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 106.2 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
3 p, 97.1 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 41 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem