Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Carrier density
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
19 p, 3.3 MB Tuning the electronic bandgap of graphdiyne by H-substitution to promote interfacial charge carrier separation for enhanced photocatalytic hydrogen production / Li, Jian (Centre national de la recherche scientifique. Institut de Chimie Physique) ; Slassi, Amine (Université de Mons. Laboratoire de Chimie des Nouveaux Matériaux) ; Han, Xu (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornil, David (Université de Mons. Laboratoire de Chimie des Nouveaux Matériaux) ; Ha-Thi, Minh-Huong (Université Paris-Saclay) ; Pino, Thomas (Centre national de la recherche scientifique. Institut des Sciences Moléculaires d'Orsay) ; Debecker, Damien P. (Université Catholique de Louvain) ; Colbeau-Justin, Christophe (Centre national de la recherche scientifique. Institut de Chimie Physique) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornil, Jerome (Université de Mons. Laboratoire de Chimie des Nouveaux Matériaux) ; Ghazzal, Mohamed Nawfal (Centre national de la recherche scientifique. Institut de Chimie Physique)
Graphdiyne (GDY), which features a highly π-conjugated structure, direct bandgap, and high charge carrier mobility, presents the major requirements for photocatalysis. Up to now, all photocatalytic studies are performed without paying too much attention on the GDY bandgap (1. [...]
2021 - 10.1002/adfm.202100994
Advanced functional materials, Vol. 31, issue 29 (July 2021) , art. 2100994  
Registre complet -
2.
5 p, 1.7 MB Impact of graphene polycrystallinity on the performance of graphene field-effect transistors / Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dinh, Van Tuan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kotakoski, Jani (University of Vienna. Faculty of Physics) ; Roche, Stephan (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; American Institute of Physics
We have used a multi-scale physics-based model to predict how the grain size and different grain boundary morphologies of polycrystalline graphene will impact the performance metrics of graphene field-effect transistors. [...]
2014 - 10.1063/1.4863842
Applied physics letters, Vol. 104, Issue 4 (January 2014) , p. 043509/1-043509/4  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem