Resultats globals: 6 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 6 registres trobats
Articles 6 registres trobats  
1.
46 p, 10.4 MB On the Thermal Models for Resistive Random Access Memory Circuit Simulation / Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Picos, Rodrigo (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Moreno Pérez, Enrique (Université Jean Monnet) ; Maldonado, David (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Baldomá, Santiago B. (Universidad Tecnológica Nacional. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías) ; Moner Al Chawa, Mohamad (Technische Universität Dresden. Institute of Circuits and Systems) ; de Benito, Carol (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Stavrinides, Stavros G. (International Hellenic University) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chua, Leon O. (University of California. Electrical Engineering and Computer Science Department)
Resistive Random Access Memories (RRAMs) are based on resistive switching (RS) operation and exhibit a set of technological features that make them ideal candidates for applications related to non-volatile memories, neuromorphic computing and hardware cryptography. [...]
2021 - 10.3390/nano11051261
Nanomaterials, Vol. 11, Issue 5 (May 2021) , art. 1261  
2.
11 p, 1.8 MB Aging in CMOS RF linear power amplifiers : an experimental study / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
An extensive experimental analysis of the HCI and BTI aging effects on RF linear power amplifiers (PA) is presented in this paper. Two different 2. 45 GHz PA topologies have been implemented in a CMOS 65 nm technology, one based on a classical common-source (CS) and choke inductor, another one based on a complementary current-reuse (CR) circuit, both of them producing similar gain and output 1-dB compression point (P-1dB). [...]
2021 - 10.1109/tmtt.2020.3041282
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 69, Issue 2 (February 2021) , art. 1453  
3.
7 p, 1.6 MB Large-signal model of 2DFETs : compact modeling of terminal charges and intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Marin, Enrique G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Toral-Lopez, Alejandro (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Ruiz, Francisco G. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Godoy Medina, Andres (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Park, Saungeun (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Akinwande, Deji (The University of Texas. Department of Electrical and Computer Engineering (USA)) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a physics-based circuit-compatible model for double-gated two-dimensional semiconductor-based field-effect transistors, which provides explicit expressions for the drain current, terminal charges, and intrinsic capacitances. [...]
2019 - 10.1038/s41699-019-0130-6
npj 2D Materials and Applications, Vol. 3 (December 2019) , art. 47  
4.
7 p, 928.3 KB Upper bounds on the bandwidth of electrically small single-resonant UHF-RFID tags / Zamora González, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zuffanelli, Simone (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguilà Moliner, Pau (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Paredes, Ferran (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bonache Albacete, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this communication, the upper limits on the bandwidth of single-resonant UHF-radio frequency identification (RFID) tags as a function of the tag size are investigated, with and without forcing perfect matching between the antenna and the application-specific integrated circuit. [...]
2018 - 10.1109/TAP.2018.2800802
IEEE transactions on antennas and propagation, Vol. 66, issue 4 (April 2018) , art. 2101  
5.
9 p, 1.4 MB Splitter/combiner microstrip sections loaded with pairs of complementary split ring resonators (CSRRs) : modeling and optimization for differential sensing applications / Su, Lijuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mata Contreras, Francisco Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Vélez Rasero, Paris (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper focuses on the analysis of splitter/ combiner microstrip sections where each branch is loaded with a complementary split ring resonator (CSRR). The distance between CSRRs is high, and hence, their coupling can be neglected. [...]
2016 - 10.1109/TMTT.2016.2623311
IEEE transactions on microwave theory and techniques, Vol. 64, issue 12 (2016) , p. 4362-4370  
6.
8 p, 2.1 MB Coplanar waveguides loaded with symmetric and asymmetric multisection stepped impedance resonators : modeling and potential applications / Su, Lijuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Naqui Garolera, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mata Contreras, Francisco Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This article is focused on the analysis and modeling of coplanar waveguide (CPW) transmission lines loaded with multisection stepped impedance resonators (MS-SIRs), transversely etched on the back substrate side. [...]
2016 - 10.1002/mop.29658
Microwave and optical technology letters, Vol. 58, Issue 3 (March 2016) , p. 722-726  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.