Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Díodes
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 16 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 7 registres trobats
Documents de recerca, 9 registres trobats
Articles 7 registres trobats  
1.
29 p, 1.9 MB A walk on the frontier of energy electronics with power ultra-wide bandgap oxides and ultra-thin neuromorphic 2D materials / Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines) ; Rogers, David J. (Nanovation)
Ultra-wide bandgap (UWBG) semiconductors and ultra-thin two-dimensional materials (2D) are at the very frontier of the electronics for energy management or energy electronics. A new generation of UWBG semiconductors will open new territories for higher power rated power electronics and deeper ultraviolet optoelectronics. [...]
2021 - 10.1117/12.2590747
Proceedings of SPIE, Vol. 11687 (2021) , p. 2590747  
Registre complet -
2.
26 p, 7.9 MB GaO and related ultra-wide bandgap power semiconductor oxides : new energy electronics solutions for CO emission mitigation / Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Asher, Jacob J. (Swansea University. College of Engineering) ; Jennings, Mike (Swansea University. College of Engineering) ; Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Currently, a significant portion (~50%) of global warming emissions, such as CO, are related to energy production and transportation. As most energy usage will be electrical (as well as transportation), the efficient management of electrical power is thus central to achieve the XXI century climatic goals. [...]
2022 - 10.3390/ma15031164
Materials, Vol. 15, issue 3 (Feb. 2022) , art. 1164  
Registre complet - Creative Commons
3.
10 p, 1.1 MB Lab in a tube : point-of-care detection of Escherichia coli / Amin, Niloufar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sena Torralba, Amadeo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Álvarez Diduk, Ruslan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Afkhami, Abbas (Bu-Ali Sina University. Faculty of Chemistry) ; Merkoçi, Arben (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Significant levels of infectious diseases caused by pathogenic bacteria are nowadays a worldwide matter, carrying considerable public health care challenges and huge economic concerns. Because of the rapid transmission of these biothreat agents and the outbreak of diseases, a rapid detection of pathogens in early stages is crucial, particularly in low-resources settings. [...]
2020 - 10.1021/acs.analchem.9b04369
Analytical chemistry, Vol. 92, issue 6 (March 2020) , p. 4209-4216  
Registre complet -
4.
4 p, 330.0 KB Quantum Monte Carlo simulation of resonant tunneling diodes based on the Wigner distribution function formalism / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A tool for the simulation of resonant tunneling diodes (RTDs) has been developed. This is based on the solution of the quantum Liouville equation in the active region of the device and the Boltzman transport equation in the regions adjacent to the contacts by means of a Monte Carlo algorithm. [...]
1998 - 10.1063/1.122800
Applied physics letters, Vol. 73, Num. 24 (December 1998) , p. 3539-3541  
Registre complet -
5.
4 p, 339.1 KB Bohm trajectories for the Monte Carlo simulation of quantum-based devices / Oriols, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, T. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Mateos, J. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Pardo, D. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; American Physical Society
A generalization of the classical ensemble Monte Carlo(MC) device simulation technique is proposed to simultaneously deal with quantum-mechanical phase-coherence effects and scattering interactions in quantum-based devices. [...]
1998 - 10.1063/1.120899
Applied physics letters, Vol. 72, Issue 7 (February 1998) , p. 806-808  
Registre complet -
6.
4 p, 336.0 KB Simulation of multilayered resonant tunneling diodes using coupled Wigner and Boltzmann distribution function approaches / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
From a coupling model between the Boltzmann transport equation and the quantum Liouville equation, we have developed a simulator based on the Wigner distribution function (WDF) approach that can be applied to resonant tunneling diodes (RTDs) and other vertical transport quantum devices. [...]
2000 - 10.1063/1.1328100
Applied physics letters, Vol. 77, Issue 21 (November 2000) , p. 3412-3414  
Registre complet -
7.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin-orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
Registre complet -

Documents de recerca 9 registres trobats  
1.
4.0 MB Diversified applications of supplemental LED light for greenhouse tomato production in the Mediterranean context / Appolloni, Elisa ; Orsini, Francesco, dir. ; Gabarrell Durany, Xavier, dir.
Context Els problemes a què s'enfronta l'agricultura actual són ben coneguts. Entre d'altres s'inclouen els recursos de cultiu limitats, com ara sòls fèrtils i aigua disponible; el canvi climàtic, amb alternança de períodes de sequera i esdeveniments de pluja massiva; l'augment de la població mundial i la seva concentració a les zones urbanes. [...]
Antecedentes Los problemas a los que se enfrenta la agricultura actual son bien conocidos. Entre ellos, la limitación de los recursos de cultivo, como el suelo fértil y el agua disponibles; el cambio climático, con la alternancia de periodos de sequía y eventos de lluvias masivas; el aumento de la población mundial y su concentración en zonas urbanas; por nombrar algunos. [...]
Background The problems faced by today agriculture are well known. These include limited cultivation resources, such as available fertile soil and water; climate change, with alternation of drought periods and massive rainfall events; increasing world population and its concentration in urban areas; to name some. [...]
2023  
Registre complet - Creative Commons
2.
181 p, 18.3 MB Terahertz Displacement Current in Resonant Tunnelling Diodes including Coherent Electron-Photon interaction / Villani, Matteo ; Oriols, Xavier, dir.
Hi ha un gran interès en el desenvolupament de dispositius portàtils de baixa potència que treballin a temperatura ambient en l'anomenat "terahertz gap" (THz), definit en el domini de freqüència entre els 100 GHz i els 30 THz. [...]
Existe un gran interés en desarrollar dispositivos móviles de bajo-consumo, para aplicaciones a temperatura ambiente en el conocido gap de los TeraHertzios (THz Gap), definida como el dominio en frecuencia entre 100 GHz y 30 THz. [...]
There is a great interest in developing portable low-power devices working at room temperature in the so-called Terahertz (THz) Gap, defined as the frequency domain between 100 GHz and 30 THz. Below this frequency domain, when the working frequencies are smaller than the inverse of the electron transit time of the active region of the device, the current can be predicted from the amount of charge crossing the electron device and modelled through an electrostatic approximation of the electromagnetic fields. [...]
2022  
Registre complet - Creative Commons
3.
26 p, 1.3 MB Explorando alternativas para suplir la demanda de alimento en respuesta al aumento de población / Izaguirre Arrien, Eneko ; Pedroso Tonon, Ángela ; Gabarrell Durany, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Con el aumento de población viene una necesidad de cubrir sus necesidades alimentarias. Debido a recientes avances en tecnología LED, se ha expandido el potencial de los cultivos en interior como una de las soluciones. [...]
2020  
Registre complet - Creative Commons
4.
144 p, 4.1 MB Novel silicon detector technologies for the HL-LHC ATLAS upgrade / Cavallaro, Emanuele ; Grinstein, Sebastian, dir. ; Institut de Física d'Altes Energies
El Large Hadron Collider (LHC) en la Organización Europea para la Investigación Nuclear (CERN), Ginebra, interrumpirá su operación en 2023 para ser mejorado a High Luminosity LHC (HL-LHC) y proporcionar colisiones entre protones con una energı́a en el centro de masa de √s = 14 TeV con una luminosidad de 1035 cm−2 s−1. [...]
The Large Hadron Collider (LHC) at the European Organization for Nuclear Research (CERN), Geneva, will interrupt its operation in 2023 to be upgraded to high luminosity (HL-LHC) and provide proton-proton collisions with a center of mass energy of √s = 14 TeV at a luminosity of 1035 cm−2 s−1. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
5.
164 p, 9.1 MB The one-armed ATLAS forward proton detector / Lopez Paz, Ivan ; Grinstein, Sebastian, dir. ; Lange, Jörn, dir. ; Institut de Física d'Altes Energies
L'experiment ATLAS al Laboratori Europeu de Física de Partícules (CERN), Ginebra, ha obtingut dades amb èxit des que el Gran Col·lisionador d'Hadrons (LHC en anglès) començà a ser operatiu el 2010. [...]
The ATLAS experiment at the European Laboratory for Particle Physics (CERN), Geneva, has been taking data successfully since the Large Hadron Collider (LHC) accelerator started operations in 2010. Since then, it has been generating proton-proton collisions to study the frontiers of particle physics, at a centre of mass energy of 7-8 TeV first and, more recently, 13 TeV. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
6.
211 p, 14.3 MB Development of pixel detectors for the IBL and HL-LHC ATLAS experiment upgrade / Baselga Bacardit, Marta ; Pellegrini, Giulio, dir. ; Casado Lechuga, María del Pilar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Aquesta tesi tracta el desenvolupament de detectors de silici de tecnologia avançada per experiments de Física d'Altes Energies (HEP en anglès). La mida dels detectors de silici per determinar traces en experiments de HEP ha de disminuïr per millorar la resolució espacial en les mesures i millorar l'ocupancia en l'electrònica. [...]
This thesis presents the development of advanced silicon technology detectors fabricated at CNM-Barcelona for High Energy Physics (HEP) experiments. The pixel size of the tracking silicon detectors for the upgrade of the HL-LHC will have to decrease in size in order to enhance the resolution in position for the measurements and they need to have better occupancy for the electronics. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
Registre complet - Creative Commons
7.
263 p, 5.3 MB Novel silicon sensors for neutron detection / Guardiola Salmerón, Consuelo ; Lozano Fantoba, Manuel, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La detección precisa y la dosimetría de neutrones en campos de radiación mixtos y pulsados es un tema instrumental demandado con gran interés por las comunidades médica e industrial. Estudios recientes de la contaminación de neutrones alrededor de los aceleradores lineales médicos han aumentado la preocupación sobre el riesgo de cáncer secundario en pacientes sometidos a tratamiento de radioterapia en las modalidades de fotones con energías superiores a 8 MeV. [...]
The accurate detection and dosimetry of neutrons in mixed and pulsed radiation fields is a demanding instrumental issue with great interest both for the industrial and medical communities. Recent studies of the neutron contamination around medical linear accelerators have increased the concern about the secondary cancer risk for radiotherapy patients undergoing treatment in photon modalities at energies greater than 8 MeV. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
8.
220 p, 5.2 MB Development of innovative silicon radiation detectors / Balbuena Valenzuela, Juan Pablo ; Pellegrini, Giulio, dir. ; Fernández Sánchez, Enrique tut. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Silicon radiation detectors fabricated at the IMB-CNM (CSIC) Clean Room facilities using the most innovative techniques in detector technology are presented in this thesis. TCAD simulation comprises an important part in this work as becomes an essential tool to achieve exhaustive performance information of modelled detectors prior their fabrication and subsequent electrical characterization. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Registre complet -
9.
234 p, 3.2 MB Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes / Pérez Rodríguez, Raúl ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Els dispositius semiconductors de potència es requereixen per transmetre o rebre gairebé qualsevol tipus de senyal elèctrica i energia electromagnètica. En temps de constant augment del consum energètic i de la sensibilitat medi-ambiental, aquests petits dispositius poden dura a terme un gran paper. [...]
Power semiconductor devices are required whenever sending, transmitting or receiving almost any type of electrical and electromagnetic energy or signal/information. In times of escalating power consumption and increasing environmental awareness, these small electronic devices can play a big role. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem