Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Electronic structure calculations
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.04 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
27 p, 1.3 MB Neutral organic radical formation by chemisorption on metal surfaces / Ajayakumar, M. R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Moreno, Cesar (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alcón, Isaac (Universitat de Barcelona. Departament de Ciència de Materials i Química Física) ; Illas, Francesc (Universitat de Barcelona. Departament de Ciència de Materials i Química Física) ; Rovira Angulo, Concepció (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Veciana i Miró, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Bromley, Stefan (Universitat de Barcelona. Departament de Ciència de Materials i Química Física) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mas-Torrent, Marta (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Organic radical monolayers (r-MLs) bonded to metal surfaces are potential materials for the development of molecular (spin)electronics. Typically, stable radicals bearing surface anchoring groups are used to generate r-MLs. [...]
2020 - 10.1021/acs.jpclett.0c00269
Journal of physical chemistry letters, Vol. 11, issue 10 (May 2020) , p. 3897-3904  
Registre complet -
2.
4 p, 327.5 KB Theoretical evidence for the kick-out mechanism for B diffusion in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Ordejon, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hernández, Eduardo R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
In this letter, we analyze by means of first-principles electronic structure calculations the diffusion of B impurities in 3C-SiC. We find, through molecular dynamics, that substitutional B at a Si lattice site is readily displaced by a nearby Si interstitial by the process known as a kick-out mechanism, in agreement with recent experimental results. [...]
2002 - 10.1063/1.1515369
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 16 (October 2002) , p. 2989-2991  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem