Fiabilitat (Enginyeria) - Resultados de la búsqueda - Depósito Digital de Documentos de la UAB

Buscar colecciones:

Ordenar por:	Mostrar resultados:	Formato de visualización:

Resultados globales: 4 registros encontrados en 0.02 segundos.
Documentos de investigación, Encontrados 4 registros

Documentos de investigación	Encontrados 4 registros

157 p, 7.5 MB

Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.

Registro completo -

131 p, 7.4 MB

Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013

Registro completo -

76 p, 2.2 MB

GNSS signal detection based on first-order absolute statistics / Buch Cardona, Pau ; López Salcedo, José Antonio, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Aquest projecte es centra principalment en el detector no coherent d'un GPS. Per tal de caracteritzar el procés de detecció d'un receptor, es necessita conèixer l'estadística implicada. Pel cas dels detectors no coherents convencionals, l'estadística de segon ordre intervé plenament. [...]
Este proyecto se centra básicamente en el receptor no coherente de un GPS. Con tal de caracterizar el proceso de detección de un receptor, es necesario conocer la estadística implicada. En el caso de los detectores no coherentes convencionales, la estadística de segundo orden interviene plenamente. [...]
This project focuses in GPS noncoherent detectors. In order characterize detection metrics from a receiver, statistics are demanded to be known. For the case of conventional noncoherent detectors, second-order statistics play an important role. [...]
2011

Registro completo -

38 p, 1.8 MB

Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003

3 documentos

Registro completo -

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.