Resultats globals: 6 registres trobats en 0.04 segons.
Articles, 4 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Articles 4 registres trobats  
1.
52 p, 1.2 MB Scaling of graphene field-effect transistors supported on hexagonal boron nitride : Radio-frequency stability as a limiting factor / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, José M. (Universidad de Salamanca. Departamento de Física Aplicada) ; Martin, Maria J. (Universidad de Salamanca) ; Rengel, Raul (Universidad de Salamanca) ; Li, Changfeng (Aalto University) ; Kim, Wonjae (Aalto University) ; Riikonen, Juha (Aalto University) ; Lipsanen, Harri (Aalto University) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The quality of graphene in nanodevices has increased hugely thanks to the use of hexagonal boron nitride as a supporting layer. This paper studies to which extent hBN together with channel length scaling can be exploited in graphene field-effect transistors (GFETs) to get a competitive radio-frequency (RF) performance. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9094
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 48 (December 2017) , art. 485203  
2.
13 p, 1.1 MB Multiplexed neural sensor array of graphene solution-gated field-effect transistors / Schaefer, Nathan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Garcia Cortadella, Ramon (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez-Aguilar, Javier (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Schwesig, Gerrit (Bernstein Center for Computational Neuroscience) ; Illa, Xavi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Moya Lara, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Santiago, Sara (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Hébert, Clément (Inserm and Université Grenoble Alpes) ; Guirado López, Gonzalo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Villa, Rosa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirota, Anton (Bernstein Center for Computational Neuroscience. Ludwig-Maximilians-University Munich) ; Guimerà Brunet, Anton (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Electrocorticography (ECoG) is a well-established technique to monitor electrophysiological activity from the surface of the brain and has proved crucial for the current generation of neural prostheses and brain-computer interfaces. [...]
2020 - 10.1088/2053-1583/ab7976
2D Materials, Vol. 7, issue 2 (April 2020) , art. 25046  
3.
7 p, 921.0 KB Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part II : circuit performance benchmarking / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper presents a circuit performance benchmarking using the large-signal model of graphene field effect transistor reported in Part I of this two-part paper. To test the model, it has been implemented in a circuit simulator. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2563464
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63, Issue 7 (July 2016) , p. 2942 - 2947  
4.
6 p, 1.8 MB Large-signal model of graphene field-effect transistors. Part I : compact modeling of GFET intrinsic capacitances / Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present a circuit-compatible compact model of the intrinsic capacitances of graphene field-effect transistors (GFETs). Together with a compact drain current model, a large-signal model of GFETs is developed combining both models as a tool for simulating the electrical behavior of graphene-based integrated circuits, dealing with the DC, transient behavior, and frequency response of the circuit. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2570426
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63 Issue 7 (July 2016) , p. 2936 - 2941  

Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
0 p, 5.5 MB Caracterització de catèters de trombectomia per l'optimització d'estratègies de tractament endovascular d'ictus isquèmic agut / Li, Jiahui ; Mas Torrent, Marta, dir.
En aquesta tesis s'investiguen diversos aspectes dels transistors orgànics d'efecte de camp (OFETs), tal com la seva fabricació, caracterització elèctrica i aplicacions. S'han preparat pel·lícules primes de diferents semiconductors orgànics (OSCs) de tipus p basats en molècules conjugades petites i mescles d'aquests OSCs amb polímers aïllants utilitzant la tècnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
En esta tesis investigamos varios aspectos de los transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs), incluida su fabricación, caracterización eléctrica y aplicaciones. Se han preparado películas delgadas de diferentes semiconductores orgánicos (OSCs) de tipo p basados en moléculas conjugadas pequeñas y mezclas de estos OSCs con polímeros aislantes utilizando la técnica "bar-assisted meniscus shearing" (BAMS). [...]
In this thesis, we investigate several aspects of organic field-effect transistors (OFETs), including their fabrication, electrical characterisation, and applications. Thin films of different p-type small molecule organic semiconductors (OSCs) and blends of these OSCs with insulating polymer binders have been prepared using the bar-assisted meniscus shearing (BAMS) technique and implemented as active layers in OFETs. [...]

2022  
2.
169 p, 5.3 MB Printing of organic semiconductors : morphology, crystal structure and interfaces / Tamayo Serra, Adrián ; Mas Torrent, Marta, dir.
L'electrònica orgànica està despertant interès a causa del seu baix cost i escalabilitat. Els semiconductors orgànics (OSC) es poden dipositar mitjançant tècniques de solució compatibles amb processat gran escala, baixes temperatures i sobre substrats flexibles. [...]
La electrónica orgánica está despertando interés debido a su bajo costo y escalabilidad. Los semiconductores orgánicos (OSC) se pueden depositar mediante técnicas de solución compatibles con procesado a gran escala, bajas temperaturas y sobre sustratos flexibles. [...]
Organic electronics is raising a lot of interest in low-cost and large area applications. Organic semiconductors (OSCs) can be deposited from solution techniques compatible with roll-to-roll processes at low temperatures and on flexible substrates. [...]

2022  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.