Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Magnetic semiconductors
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 3 registres trobats en 0.05 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
18 p, 1.8 MB Unraveling the origin of magnetism in mesoporous Cu-doped SnO₂ magnetic semiconductor / Fan, Junpeng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Menéndez Dalmau, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Guerrero, Miguel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Quintana Puebla, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Weschke, Eugen (Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie) ; Pellicer Vilà, Eva Maria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
The origin of magnetism in wide-gap semiconductors doped with non-ferromagnetic 3d transition metals still remains intriguing. In this article, insights in the magnetic properties of ordered mesoporous Cu-doped SnO₂ powders, prepared by hard-templating, have been unraveled. [...]
2017 - 10.3390/nano7110348
Nanomaterials, Vol. 7, issue 11 (Nov. 2017) , art. 348  
Registre complet - Creative Commons
2.
4 p, 673.6 KB Resonant interband tunneling spin filter / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunnelingdiode as a spin filter. The interband design exploits large valence band spin-orbit interaction to provide strong spin selectivity, without suffering from fast hole spin relaxation. [...]
2002 - 10.1063/1.1524700
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 22 (November 2002) , p. 4198-4200  
Registre complet -
3.
4 p, 695.9 KB Bidirectional resonant tunneling spin pump / Ting, David Z. -Y. (California Institute of Technology. Jet Propulsion Laboratory) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose a mechanism for achieving bidirectional spin pumping in conventional nonmagnetic semiconductorresonant tunnelingheterostructures under zero magnetic field. The device is designed specifically to take advantage of the special spin configuration described by the Rashba effect in asymmetric quantum wells. [...]
2003 - 10.1063/1.1602158
Applied physics letters, Vol. 83, Issue 7 (August 2003) , p. 1391-1393  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem