Resultats globals: 1 registres trobats en 0.03 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
151 p, 4.8 MB Resistive memory devices based on complex oxides / Ortega Hernández, Rafael ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los dispositivos de Memoria Resistiva de Acceso Aleatorio (RRAM) han sido propuestos como posibles candidatos para substituir a las tecnologías actualmente empleadas como dispositivos de memoria no volátil. [...]
Resistive Random Access Memory (RRAM) devices have been proposed as candidates to replace the actual technologies employed as non-volatile memory devices. The origin of this proposal relies on the observation of the extraordinary properties required for the scaling down of this kind of devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.