Resultats globals: 17 registres trobats en 0.08 segons.
Documents de recerca, 17 registres trobats
Documents de recerca 17 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
114 p, 18.3 MB CMOS-MEMS para aplicaciones de RF : osciladores / Sobreviela Falces, Guillermo, autor ; Uranga del Monte, Aranzazu, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un gran número de sensores inerciales y que van aumentando en función de las propias exigencias del mercado NEMS. [...]
In recent years the market associated with MEMS / NEMS devices for communications, is experiencing a steady increase mainly due to the popularity of smart mobile devices that incorporate a large number of inertial sensors. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
2.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
3.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Resums pendents.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
4.
246 p, 12.8 MB Monolithic packaging and transduction approaches for CMOS-MEMS resonators / Marigó Ferrer, Eloi ; Barniol i Beumala, Núria, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El gran increment en el rendiment dels MEMS i la seva aplicació a multitud de camps ha motivat la seva recerca i desenvolupament. Des de la primera demostració d'un MEMS, moltes aplicacions han sorgit, essent el camp dels sensors el seu sector més competitiu. [...]
The increasingly performance of MEMS and their applicability to a wide range of fields has motivated the research and development of such devices. From the first demonstration of MEMS several applications have grown being the field of sensors their most competitive area. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
5.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
6.
221 p, 7.1 MB Development of microelectromechanical systems for RF signal processing / Giner de Haro, Joan Josep ; Uranga del Monte, Aránzazu, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El objectiu d'aquesta tesis ha sigut l'estudi de ressonadors CMOS-MEMS monolíticament integrats per a la seva aplicació en transceptors de radio freqüència. En concret s'ha treballat sobre filtre y ressonadors de RF així com la seva caracterització. [...]
The objective of this thesis is the study of CMOS MEMS monolithically integrated resonators, for RF transceivers applications. In particular, it has focuses on design and characterization of RF resonators and filters. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
7.
89 p, 1.1 MB Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS / Vileta Incausa, José Carlos ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011  
8.
204 p, 4.6 MB Application of CMOS-MEMS integrated resonators to RF communicaction systems / López Méndez, Juan Luis ; Barniol i Beumala, Núria, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electronica
Els dispositius MEMS han demostrat la seva utilitat en un gran ventall d'aplicacions de sensat i actuació. L'extensió al domini de RF d'aquests elements mecànics són ara una de les peces clau per sistemes altament reconfigurables referències de freqüència i processadors de senyals. [...]
MEMS devices demonstrated a wide range of sensing and actuation applications. These mechanical elements present nowadays extension to the RF world as key elements for highly reconfigurable systems, frequency references and signal processors. [...]

Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2009  
9.
187 p, 7.3 MB Caracterització d'oscil·ladors basats en CMOS-M/NEMS i la seva aplicació com a sensors de massa / Sansa Perna, Marc ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
El present projecte tracta sobre la caracterització d'oscil·ladors basats en ressonadors micro/nanoelectromecànics (M/NEMS) i la seva aplicació com a sensors de massa. Els oscil·ladors utilitzats es basen en un pont i una palanca ressoants M/NEMS, integrats en tecnologia CMOS. [...]
El presente proyecto trata sobre la caracterización de osciladores basados en resonadores micro/nanoelectromecánicos (M/NEMS) y su aplicación como sensores de masa. Los osciladores utilizados se basan en un puente y una palanca resonantes M/NEMS, integrados en tecnología CMOS. [...]
The aim of the present project is the characterization of micro/nanoelectromechanical (M/NEMS)-based oscillators and their application as mass sensors. The studied oscillators are based on a bridge and a cantilever resoant M/NEMS, integrated in CMOS technology. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2008  
10.
258 p, 5.9 MB A CMOS pixel vertex detector for the super KEK-B experiment semiconductor tracker / Martín Albarrán, Elena ; Ferrer, Carles, (Ferrer i Ramis), dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Varner, Gary S., dir. (University of Hawaii)
This dissertation will explain the research that has been done at the IDLab at the University of Hawai'i for the upgrade of the pixel detector.
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2008
2 documents

Documents de recerca : 17 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.