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Articles, 2 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
11 p, 8.7 MB Defect engineering in solution-processed polycrystalline SnSe leads to high thermoelectric performance / Liu, Yu (Institute of Science and Technology Austria) ; Calcabrini, Mariano (Institute of Science and Technology Austria) ; Yu, Yuan (I. Physikalisches Institut (IA)) ; Lee, Seungho (Institute of Science and Technology Austria) ; Chang, Cheng (Institute of Science and Technology Austria) ; David, Jérémy (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ghosh, Tanmoy (Institute of Science and Technology Austria) ; Spadaro, Maria Chiara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xie, Chenyang (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Física) ; Cojocaru-Mirédin, Oana (I. Physikalisches Institut (IA)) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ibáñez, Maria (Institute of Science and Technology Austria)
SnSe has emerged as one of the most promising materials for thermoelectric energy conversion due to its extraordinary performance in its single-crystal form and its low-cost constituent elements. However, to achieve an economic impact, the polycrystalline counterpart needs to replicate the performance of the single crystal. [...]
2022 - 10.1021/acsnano.1c06720
ACS nano, Vol. 16, Issue 1 (January 2022) , p. 78-88  
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2.
7 p, 2.4 MB The role of the Fermi level pinning in gate tunable graphene-semiconductor junctions / Chaves Romero, Ferney Alveiro (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Graphene based transistors relying on a conventional structure cannot switch properly because of the absence of an energy gap in graphene. To overcome this limitation, a barristor device was proposed, whose operation is based on the modulation of the graphene-semiconductor (GS) Schottky barrier by means of a top gate, and demonstrating an ON-OFF current ratio up to 10⁵. [...]
2016 - 10.1109/TED.2016.2606139
IEEE transactions on electron devices, Vol. 63, no. 11 (Nov. 2016) , p. 4521-4526  
Registre complet -

Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
211 p, 9.8 MB Estudio energético de redes de vórtices nanoestructuradas en YBa2Cu3O7 mediante decoración magnética / Fabián Luccas, Roberto ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Granados García, Xavier, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Los esfuerzos por realizar nuevos descubrimientos en el campo de la superconductividad están motivados por una imperiosa necesidad de su aplicación en el día a día. [1-7] En este sentido, la fabricación de cables superconductores de grandes dimensiones ha sido posible gracias a la inclusión de resultados obtenidos en laboratorios trabajando con sistemas modélicos,[8-12] donde los objetivos se centran en la mejora de las prestaciones del YBa2Cu3O7, uno de los materiales con mejores resultados en aplicación. [...]
Efforts in superconductivity for new discoveries are pushed up for a vital necessity of application. [1-7] It is know that construction of long superconductor cables have been able due to application of results obtained in lab experiments using YBa2Cu3O7 model systems,[8-12] superconductor material with the best performance. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
Registre complet -
2.
156 p, 3.1 MB Controlling Vortex Pinning and Dynamics of Nanostructured YBCO Thin Films Grown by Chemical Solution Deposition / Rouco Gómez, Víctor ; Palau, Anna, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Desde el descubrimiento de los Superconductores de Alta Temperatura (SCAT), se ha realizado un gran esfuerzo con tal de optimizar las propiedades eléctricas de estos materiales. A diferencia de los Superconductores convencionales de Baja Temperatura (SCBT), algunos de los SCAT son capaces de alcanzar el estado superconductor a la temperatura de ebullición del nitrógeno (77K) haciéndolos mucho más atractivos en cuanto a aplicaciones tecnológicas dados los reducidos costes de operación. [...]
Since the discovery of High-Temperature Superconductors (HTS) a huge effort has been devoted in order to optimize the electric power properties of these materials. As a difference from conventional Low-Temperature Superconductors (LTS), some HTS are able to achieve the superconducting state at the boiling point of nitrogen (77K), making these materials much more attractive for technological applications due to their reduced operating costs. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
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