Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Resistive Switching
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 33 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 29 registres trobats
Documents de recerca, 4 registres trobats
Articles 29 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
20 p, 4.7 MB Application of the Quasi-Static Memdiode Model in Cross-Point Arrays for Large Dataset Pattern Recognition / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We investigate the use and performance of the quasi-static memdiode model (QMM) when incorporated into large cross-point arrays intended for pattern classification tasks. Following Chua's memristive devices theory, the QMM comprises two equations, one equation for the electron transport based on the double-diode circuit with single series resistance and a second equation for the internal memory state of the device based on the so-called logistic hysteron or memory map. [...]
2020 - 10.1109/ACCESS.2020.3035638
IEEE Access, Vol. 8 (November 2020) , p. 202174-202193  
Registre complet - Creative Commons
2.
Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108759
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759  
Registre complet - Creative Commons
3.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registre complet - Creative Commons
4.
11 p, 4.5 MB Experimental and Modeling Study of Metal-Insulator Interfaces to Control the Electronic Transport in Single Nanowire Memristive Devices / Milano, Gianluca (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fretto, Matteo (INRiM (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica)) ; Valov, Ilia (Peter-Grünberg-Institut) ; Ricciardi, Carlo (Politecnico di Torino)
Memristive devices relying on redox-based resistive switching mechanisms represent promising candidates for the development of novel computing paradigms beyond von Neumann architecture. Recent advancements in understanding physicochemical phenomena underlying resistive switching have shed new light on the importance of an appropriate selection of material properties required to optimize the performance of devices. [...]
2022 - 10.1021/acsami.2c11022
ACS applied materials & interfaces, Vol. 14, Num. 47 (November 2022) , p. 53027-53037  
Registre complet - Creative Commons
5.
10 p, 6.2 MB SPICE model for complementary resistive switching devices based on anti-serially connected quasi-static memdiodes / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, Mireia Bargallo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper reports the use of the Quasi-static Memdiode Model (QMM) for simulating Complementary Resistive Switching (CRS) devices. CRS arises from the anti-serial connection of two memristors and it is used for generating low and high-resistance regions in the I-V characteristic with the aim of mitigating the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108312
Solid-state electronics, Vol. 194 (August 2022) , art. 108312  
Registre complet - Creative Commons
6.
18 p, 4.5 MB SPICE Implementation of the Dynamic Memdiode Model for Bipolar Resistive Switching Devices / Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper reports the fundamentals and the SPICE implementation of the Dynamic Memdiode Model (DMM) for the conduction characteristics of bipolar-type resistive switching (RS) devices. Following Prof. [...]
2022 - 10.3390/mi13020330
Micromachines, Vol. 13, Issue 2 (February 2022) , art. 330  
Registre complet - Creative Commons
7.
46 p, 10.4 MB On the Thermal Models for Resistive Random Access Memory Circuit Simulation / Roldán, Juan B. (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; González-Cordero, Gerardo (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Picos, Rodrigo (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas) ; Jiménez-Molinos, Francisco (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Moreno Pérez, Enrique (Université Jean Monnet) ; Maldonado, David (Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores) ; Baldomá, Santiago B. (Universidad Tecnológica Nacional. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías) ; Moner Al Chawa, Mohamad (Technische Universität Dresden. Institute of Circuits and Systems) ; de Benito, Carol (University of Balearic Islands. Industrial Engineering and Construction Department) ; Stavrinides, Stavros G. (International Hellenic University) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Chua, Leon O. (University of California. Electrical Engineering and Computer Science Department)
Resistive Random Access Memories (RRAMs) are based on resistive switching (RS) operation and exhibit a set of technological features that make them ideal candidates for applications related to non-volatile memories, neuromorphic computing and hardware cryptography. [...]
2021 - 10.3390/nano11051261
Nanomaterials, Vol. 11, Issue 5 (May 2021) , art. 1261  
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 2.8 MB A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083  
Registre complet - Creative Commons
9.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso Pérez, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
Registre complet -
10.
7 p, 481.4 KB Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410  
Registre complet -

Articles : 29 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 4 registres trobats  
1.
165 p, 12.7 MB Field-Induced Reversible Tuning of Oxygen Doping in High-Temperature Superconductors / Fernández Rodríguez, Alejandro ; Palau, Anna, dir. ; Mestres Andreu, Narcís, dir.
La modulació de la concentració de portadors en òxids fortament correlacionats ofereix l'oportunitat única d'induir diferents fases al mateix material, canviant dràsticament les seves propietats físiques. [...]
La modulación de la concentración de portadores en óxidos fuertemente correlacionados ofrece la oportunidad única de inducir diferentes fases en el mismo material, cambiando drásticamente sus propiedades físicas. [...]
Modulation of carrier concentration in strongly correlated oxides offers the unique opportunity to induce different phases in the same material, which dramatically change their physical properties. Specially, the possibility of reversibly modifying the metal-insulator transition (MIT) in perovskite oxides, by means of an electric field as the external control parameter, is a very active area of research in condensed matter physics, and a promising technique to generate new solid-state devices with interesting functionalities. [...]
2022  
Registre complet - Creative Commons
2.
198 p, 15.8 MB Diseño, fabricación y caracterización de dispositivos de conmutación resistiva basados en estructuras TiN/Ti/HfO2/W / Poblador Cester, Samuel ; Campabadal, Francesca, dir. ; Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Als darrers anys s'ha generat un gran interès pels dispositius de commutació resistiva degut al potencial que presenten per revolucionar el món de l'electrònica. Aquesta tesi doctoral se centra en el disseny, la fabricació i la caracterització d'aquests dispositius amb una combinació concreta de materials, TiN/Ti/HfO2/W, que permeten una integració total amb les actuals tecnologies de fabricació nano i microelectrónica i que presenten un tipus de commutació resistiva bipolar basada en la creació i dissolució parcial de filaments conductors nanomètrics. [...]
En los últimos años se ha suscitado un gran interés por los dispositivos de conmutación resistiva debido al potencial que poseen para revolucionar el mundo de la electrónica. Esta tesis se centra en el diseño, la fabricación y la caracterización de estos dispositivos con una combinación concreta de materiales, TiN/Ti/HfO2/W, que permiten una integración total con las actuales tecnologías de fabricación nano y microelectrónica y que presentan un tipo de conmutación resistiva bipolar basada en la creación y disolución parcial de filamentos conductores nanométricos. [...]
In recent years, there has been a great interest in resistive switching devices due to their potential to revolutionize the world of electronics. This thesis focuses on the design, fabrication and characterisation of this type of devices with a specific combination of materials, TiN/Ti/HfO2/W, which allows full integration with current nano and microelectronic fabrication technologies and shows bipolar resistive switching that is based on the creation and partial dissolution of nanometric conductive filaments. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons
3.
164 p, 10.0 MB Resistive Switching in Strontium Iridates / Fuentes López-Doriga, Víctor ; Balcells Argemí, Lluís, dir. ; Pomar Barbeito, Alberto, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir.
Aquesta Tesi estudia les propietats de Commutació Resistiva en capes primes de la sèrie de Ruddlensen-Popper de Iridats d'Estronci (Srn+1IrnO3n+1), posant el focus en els efectes de les transicions metall-aïllant d'aquestes fases en les característiques de la commutació resistiva. [...]
Esta Tesis estudia las propiedades de conmutación resistiva en capas delgadas de la serie de Ruddlensen-Popper de Iridatos de Estroncio (Srn+1IrnO3n+1), poniendo el foco en los efectos de las transiciones metal-aislante de estas fases en las características de la conmutación resistiva. [...]
The present thesis studies the Resistive Switching properties in Ruddlensen-Popper strontium iridates (Srn+1IrnO3n+1) thin films, focusing on the effect of Metal-Insulator Transitions of these phases in the Resistive Switching features. [...]
2021  
Registre complet - Creative Commons
4.
26 p, 3.0 MB Study of the resistive switching phenomenon in YBCO superconducting samples / Antoja Lleonart, Jordi ; Palau, Anna, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2014
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem