Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Resistive random access memory
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 5 registres trobats en 0.06 segons.
Articles, 5 registres trobats
Articles 5 registres trobats  
1.
9 p, 2.6 MB Analysis and simulation of the multiple resistive switching modes occurring in HfO x -based resistive random access memories using memdiodes / Petzold, S. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sharath, S. U. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Vogel, Tobias (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Piros, E. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science.) ; Kaiser, Nico (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Eilhardt, R. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Zintler, A. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Molina-Luna, L. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, Lambert (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science)
In this work, analysis and simulation of all experimentally observed switching modes in hafnium oxide based resistive random access memories are carried out using a simplified electrical conduction model. [...]
2019 - 10.1063/1.5094864
Journal of applied physics, Vol. 125, issue 23 (June 2019) , art. 234503  
Registre complet - Creative Commons
2.
38 p, 879.4 KB Superposition of interface and volume type resistive switching in perovskite nanoionic devices / Bagdzevicius, Sarunas (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Boudard, Michel (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Caicedo Roque, Jose Manuel (Université Savoie Mont Blanc) ; Rapenne, Laetitia (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Mescot, Xavier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez-Lamas, Raquel (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Robaut, Florence (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management) ; Santiso, José (Université Savoie Mont Blanc) ; Burriel, Mónica (Université Grenoble Alpes. Institut d'ingénierie et de management)
The microelectronics industry is currently searching for reliable redox-based resistive switching (RS) memories which are filament-free, scale with the electrode size and do not require a high voltage electroforming step. [...]
2019 - 10.1039/c9tc00609e
Journal of materials chemistry, Vol. 7, issue 25 (July 2019) , p. 7580-7592  
Registre complet -
3.
30 p, 3.6 MB Conductance quantization in resistive random access memory / Li, Yang (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Liu, Yang (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Hu, Chen (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Teng, Jiao (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Liu, Qi (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing))
The intrinsic scaling-down ability, simple metal-insulator-metal (MIM) sandwich structure, excellent performances, and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology-compatible fabrication processes make resistive random access memory (RRAM) one of the most promising candidates for the next-generation memory. [...]
2015 - 10.1186/s11671-015-1118-6
Nanoscale Research Letters, Vol. 10 (December 2015) , art. 420  
Registre complet - Creative Commons
4.
4 p, 446.5 KB Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices / Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.046
Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62  
Registre complet - Creative Commons
5.
4 p, 1.1 MB Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M. B (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.057
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem