Ruptura elèctrica - Search Results - UAB Digital Repository of Documents

Search collections:

Sort by:	Display results:	Output format:

Results overview: Found 3 records in 0.02 seconds.
Research literature, 3 records found

Research literature	3 records found

154 p, 4.1 MB

Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013

Detailed record -

14 p, 542.4 KB

Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011

2 documents

Detailed record -

38 p, 1.8 MB

Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003

3 documents

Detailed record -

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.