Resultats globals: 1 registres trobats en 0.04 segons.
Articles, 1 registres trobats
Articles 1 registres trobats  
1.
2 p, 82.1 KB La nanoelectrònica cerca el substitut de l'òxid de silici / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La comunitat científica internacional investiga les possibilitats de substitució de l'òxid de silici, un dels components principals dels dispositius microelectrònics, per altres materials amb millors propietats elèctriques i compatibles amb els processos de fabricació CMOS (Semiconductor Complementari d'Oxid de Metall). [...]
La comunidad científica internacional investiga las posibilidades de sustitución del óxido de silicio, uno de los componentes principales de los dispositivos microelectrónicos, por otros materiales con mejores propiedades eléctricas y compatibles con los procesos de fabricación CMOS (Semiconductor Complementario de Oxido de Metal). [...]

2006
UAB divulga, juliol 2006, p. 1-1
2 documents

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.