Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Mesoscopic approach to progressive breakdown in ultrathin SiO2 layers
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.08 segons.
Articles, 1 registres trobats
Articles 1 registres trobats  
1.
4 p, 286.6 KB Mesoscopic approach to progressive breakdown in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The opening of a breakdown path across the ultrathin oxide layer in a metal-oxide-semiconductor structure caused by the application of electrical stress can be analyzed within the framework of the physics of mesoscopic conductors. [...]
2007 - 10.1063/1.2761831
Applied physics letters, Vol. 91, Issue 5 (July 2007) , p. 053502/1-053502/3  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem