Thin-film bulk acoustic wave resonators (FBAR) fabrication, heterogeneous integration with CMOS technologies and sensor aplications / - Resultats de la cerca

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

No s'ha trobat cap coincidència exacta per Thin-film bulk acoustic wave resonators (FBAR) fabrication, heterogeneous integration with CMOS technologies and sensor aplications /, però canviant-lo per Thin film bulk acoustic wave resonators FBAR fabrication heterogeneous integration with CMOS technologies and sensor aplications ...

Resultats globals: 1 registres trobats en 2.78 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats

Documents de recerca	1 registres trobats

241 p, 6.4 MB

Thin-film bulk acoustic wave resonators (FBAR) : fabrication, heterogeneous integration with CMOS technologies and sensor aplications / Campanella, Humberto ; Esteve, Jaume, dir. (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Uranga del Monte, Aránzazu, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nouet, Pascual, dir. (Université Montpellier II)
El gran impacto de la tecnología FBAR tanto en sistemas de radio frecuencia como más recientemente en sensores han motivado el desarrollo de aplicaciones integradas. Esto implica que los procesos de fabricación deberían lograr producir dispositivos resonadores con un alto factor de calidad, al tiempo que permitir la integración de los FBAR con tecnologías CMOS estándar. [...]
The high impact of FBAR on radio-frequency and, most recently, on sensing systems has motivated the development of integrated applications. This means that the fabrication process should succeed in producing high-quality-factor resonators and, at the same time, in integrating FBARs with standard CMOS technologies. [...]
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2008

Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.