Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / - Resultats de la cerca

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

Warning: Ignoring empty title search term.

Resultats globals: 1 registres trobats en 0.08 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats

Documents de recerca	1 registres trobats

149 p, 4.9 MB

Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013

Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.