Cross-plane thermal conductivity reduction of vertically uncorrelated Ge/Si quantum dot superlattices

Google Scholar: cites

(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Rodríguez-Viejo, Javier

(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Jou i Mirabent, David, 1953-

(Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Lacharmoise, Paul (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Bernardi, Alessandro

(Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Goñi, Alejandro

(Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Alonso Carmona, Maria Isabel

(Institut de Ciència de Materials de Barcelona)

Data:	2008
Resum:	A drastic reduction in temperature dependent cross-plane thermal conductivity κ occurs in Gequantum dotsuperlattices (QDSLs), depending on the vertical correlation between dots. Measurements show at least a twofold decrease of κ in uncorrelated dot structures as compared to structures with the same Si spacer of 20nm but good vertical dot alignment. The observed impact of disorder on the conductivity provides an alternative route to reduce the thermal conductivity of QDSLs. The results of this work have implications for the development of highly efficient thermoelectric materials and on-chip nanocooling devices.
Drets:	Aquest material està protegit per drets d'autor i/o drets afins. Podeu utilitzar aquest material en funció del que permet la legislació de drets d'autor i drets afins d'aplicació al vostre cas. Per a d'altres usos heu d'obtenir permís del(s) titular(s) de drets.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió publicada
Matèria:	Thermal conductivity ; Germanium ; Superlattices ; Elemental semiconductors ; Quantum dots ; Thin film growth ; Phonons ; Molecular beam epitaxy ; Nanostructures ; Thermoelectric devices
Publicat a:	Applied physics letters, Vol. 93, Issue 1 (July 2008) , p. 013112/1-013112/3, ISSN 1077-3118

4 p, 337.7 KB

Registre creat el 2014-02-19, darrera modificació el 2025-01-07