Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress
-
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
;
Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ;
Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ;
Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ;
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))