Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices - Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
 
Comentarios (0) | Reseñas (0)
Inicie un debate sobre cualquier aspecto de este documento.

 Subscribirse to this discussion. You will then receive all new comments by email.

Añadir comentario


Una vez identificados, los usuarios autorizados también pueden añadir ficheros.
Atención: todavía no ha definido su alias.
N/D, será el que se muestre como autor de este comentario
          You can use some HTML tags: <a href>, <strong>, <blockquote>, <br />, <p>, <em>, <ul>, <li>, <b>, <i>