Top-Down CMOS-NEMS Polysilicon Nanowire with Piezoresistive Transduction
Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica)
Sansa Perna Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Fecha: 2015
Resumen: A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. The resonator made from a single polysilicon layer has a fundamental in-plane resonance at 27 MHz. Piezoresistive transduction avoids the effect of the parasitic capacitance assessing the capability to use it and enhance the CMOS-NEMS resonators towards more efficient oscillator. The displacement derived from the capacitive transduction allows to compute the gauge factor for the polysilicon material available in the CMOS technology.
Derechos: Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original. Creative Commons
Lengua: Anglès.
Documento: article ; recerca ; publishedVersion
Materia: NEMS ; CMOS-NEMS ; Mechanical resonators ; Piezoresistive transduction ; Polysilicon nanowires
Publicado en: Sensors, Vol. 15 (2015) , p. 17036-1704, ISSN 1424-8220



12 p, 2.7 MB

El registro aparece en las colecciones:
Artículos > Artículos de investigación
Artículos > Artículos publicados

 Registro creado el 2016-03-10, última modificación el 2018-10-28



   Favorit i Compartir